IRF7341GTRPBF vs IRF7380TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF7341GTRPBF von Infineon und IRF7380TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF7341GTRPBF IRF7380TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,76 $0,32
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 5.1 A 3.6 A
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) 2.4 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Configuration Dual N-Channel Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package)
Technology IR HEXFET Planar MOSFET IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch)
Gehäuse 8-SO (SOIC-8) SO-8 (8-SO, SOIC-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7380TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
On-Resistance RDS(on) max — 73 mOhm at VGS = 10 V
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +150 C
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free plating, suffix PBF)
Packaging — Tape & Reel (suffix TR)
Primary Application — High-frequency DC-DC converters

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