IRF7341GTRPBF vs IRF7380TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7341GTRPBF par Infineon et IRF7380TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7341GTRPBF IRF7380TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,76 $0,32
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 5.1 A 3.6 A
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) 2.4 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Configuration Dual N-Channel Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package)
Technology IR HEXFET Planar MOSFET IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch)
Boîtier 8-SO (SOIC-8) SO-8 (8-SO, SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7380TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
On-Resistance RDS(on) max — 73 mOhm at VGS = 10 V
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free plating, suffix PBF)
Packaging — Tape & Reel (suffix TR)
Primary Application — High-frequency DC-DC converters

Fiches techniques et ressources

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