IRF7341GTRPBF vs IRF7380TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7341GTRPBF por Infineon e IRF7380TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7341GTRPBF IRF7380TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,76 $0,32
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 5.1 A 3.6 A
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) 2.4 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Configuration Dual N-Channel Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package)
Technology IR HEXFET Planar MOSFET IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch)
Encapsulamento 8-SO (SOIC-8) SO-8 (8-SO, SOIC-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7380TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
On-Resistance RDS(on) max — 73 mOhm at VGS = 10 V
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free plating, suffix PBF)
Packaging — Tape & Reel (suffix TR)
Primary Application — High-frequency DC-DC converters

Fichas técnicas e recursos

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