IRF7341GTRPBF vs IRF7380TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7341GTRPBF por Infineon y IRF7380TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7341GTRPBF IRF7380TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,76 $0,32
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 5.1 A 3.6 A
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) 2.4 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Configuration Dual N-Channel Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package)
Technology IR HEXFET Planar MOSFET IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch)
Encapsulado 8-SO (SOIC-8) SO-8 (8-SO, SOIC-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7380TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
On-Resistance RDS(on) max — 73 mOhm at VGS = 10 V
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +150 C
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free plating, suffix PBF)
Packaging — Tape & Reel (suffix TR)
Primary Application — High-frequency DC-DC converters

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