IRF7854TRPBF vs IRFH7440TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF7854TRPBF von Infineon und IRFH7440TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF7854TRPBF IRFH7440TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $0,78
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Gehäuse SO-8 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) StrongIRFET™ (HEXFET)
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix)
Qualification JEDEC industrial, Normal level JEDEC standard
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) — 2.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 92 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 104 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +150°C
Gate Drive Optimization — 10V (Normal Level), switching < 100 kHz
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1
Typical Applications — Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching

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