IRF7854TRPBF vs IRFH7440TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7854TRPBF por Infineon y IRFH7440TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7854TRPBF IRFH7440TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,78
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Encapsulado SO-8 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) StrongIRFET™ (HEXFET)
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix)
Qualification JEDEC industrial, Normal level JEDEC standard
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) — 2.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 92 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 104 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +150°C
Gate Drive Optimization — 10V (Normal Level), switching < 100 kHz
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1
Typical Applications — Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching

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