IRF7854TRPBF vs IRFH7440TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7854TRPBF por Infineon e IRFH7440TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7854TRPBF IRFH7440TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,78
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Encapsulamento SO-8 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) StrongIRFET™ (HEXFET)
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix)
Qualification JEDEC industrial, Normal level JEDEC standard
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) — 2.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 92 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 104 W
Temperatura de junção de operação — -55°C to +150°C
Gate Drive Optimization — 10V (Normal Level), switching < 100 kHz
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1
Typical Applications — Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching

Fichas técnicas e recursos

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