IRF7854TRPBF vs IRFH7440TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7854TRPBF par Infineon et IRFH7440TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7854TRPBF IRFH7440TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,78
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Boîtier SO-8 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) StrongIRFET™ (HEXFET)
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix)
Qualification JEDEC industrial, Normal level JEDEC standard
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) — 2.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 92 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 104 W
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +150°C
Gate Drive Optimization — 10V (Normal Level), switching < 100 kHz
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1
Typical Applications — Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching

Fiches techniques et ressources

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