IRF9540NPBF vs IRFZ48NPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF9540NPBF von Infineon und IRFZ48NPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF9540NPBF IRFZ48NPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF9540NPBF —
Transistortyp P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc -23 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 117 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 54 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gehäuse / Bauform TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) —
Montageart Through Hole Through Hole
Process Technology Planar HEXFET cell structure —
Qualification JEDEC standard —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes (Pb-free matte tin plating) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC — 64 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 14 mΩ (maximum)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) at TC — 130 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
Gehäuse — TO-220AB (through-hole)
Technology — HEXFET (advanced planar)
Lead-Free (PBF suffix) — Yes
Qualification Standard — Industrial market

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