IRF9540NPBF vs IRFZ48NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF9540NPBF por Infineon e IRFZ48NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF9540NPBF IRFZ48NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF9540NPBF —
Tipo de transistor P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc -23 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 117 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 54 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
Faixa de temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento / Caixa TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Process Technology Planar HEXFET cell structure —
Qualification JEDEC standard —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (Pb-free matte tin plating) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC — 64 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 14 mΩ (maximum)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) at TC — 130 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Encapsulamento — TO-220AB (through-hole)
Technology — HEXFET (advanced planar)
Lead-Free (PBF suffix) — Yes
Qualification Standard — Industrial market

Fichas técnicas e recursos

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