IRF9540NPBF vs IRFZ48NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF9540NPBF par Infineon et IRFZ48NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF9540NPBF IRFZ48NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF9540NPBF —
Type de transistor P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc -23 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 117 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 54 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier / Format TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) —
Type de montage Through Hole Through Hole
Process Technology Planar HEXFET cell structure —
Qualification JEDEC standard —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (Pb-free matte tin plating) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC — 64 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 14 mΩ (maximum)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) at TC — 130 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Boîtier — TO-220AB (through-hole)
Technology — HEXFET (advanced planar)
Lead-Free (PBF suffix) — Yes
Qualification Standard — Industrial market

Fiches techniques et ressources

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