IRF9540NPBF vs IRFZ48NPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF9540NPBF por Infineon y IRFZ48NPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF9540NPBF IRFZ48NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,86 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF9540NPBF —
Tipo de transistor P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc -23 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 117 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 54 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
Rango de temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado / Carcasa TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) —
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Process Technology Planar HEXFET cell structure —
Qualification JEDEC standard —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (Pb-free matte tin plating) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC — 64 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 14 mΩ (maximum)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (PD) at TC — 130 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
Encapsulado — TO-220AB (through-hole)
Technology — HEXFET (advanced planar)
Lead-Free (PBF suffix) — Yes
Qualification Standard — Industrial market

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