IRFB4020PBF vs IRFB4410PBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFB4020PBF von Infineon und IRFB4410PBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFB4020PBF IRFB4410PBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,38 $1,15
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) MOSFET (Metal Oxide) - HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur 175 C (max) —
Gehäuse TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole)
Montageart Through Hole Through Hole
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 88 A (Tc)
Continuous Drain Current (Id) @ 100C — [DATA_NEEDED: Id @ 100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm pulse]
Gate-to-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
RDS(on) max @ VGS=10V — 10 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (Pd) — 200 W (Tc)
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C (Tj)
Avalanche Energy Rating — Single-pulse avalanche rated
MSL-Level — 1 (unlimited)
RoHS-Status — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Series — HEXFET

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