IRFB4020PBF vs IRFB4410PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFB4020PBF por Infineon y IRFB4410PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFB4020PBF IRFB4410PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,38 $1,15
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) MOSFET (Metal Oxide) - HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
Temperatura de unión de funcionamiento 175 C (max) —
Encapsulado TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 88 A (Tc)
Continuous Drain Current (Id) @ 100C — [DATA_NEEDED: Id @ 100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm pulse]
Gate-to-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
RDS(on) max @ VGS=10V — 10 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (Pd) — 200 W (Tc)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (Tj)
Avalanche Energy Rating — Single-pulse avalanche rated
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Estado RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Series — HEXFET

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