IRFB4020PBF vs IRFB4410PBF 比較

詳細な並列比較: IRFB4020PBF メーカー: Infineon および IRFB4410PBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFB4020PBF IRFB4410PBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.38 $1.15
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) MOSFET (Metal Oxide) - HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
動作接合温度 175 C (max) —
パッケージ TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole)
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 88 A (Tc)
Continuous Drain Current (Id) @ 100C — [DATA_NEEDED: Id @ 100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm pulse]
Gate-to-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
RDS(on) max @ VGS=10V — 10 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (Pd) — 200 W (Tc)
動作温度範囲 — -55C to +175C (Tj)
Avalanche Energy Rating — Single-pulse avalanche rated
MSLレベル — 1 (unlimited)
RoHS ステータス — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Series — HEXFET

データシート&リソース

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