IRFB4020PBF vs IRFB4410PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB4020PBF por Infineon e IRFB4410PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB4020PBF IRFB4410PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,38 $1,15
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) MOSFET (Metal Oxide) - HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
Temperatura de junção de operação 175 C (max) —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 88 A (Tc)
Continuous Drain Current (Id) @ 100C — [DATA_NEEDED: Id @ 100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm pulse]
Gate-to-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
RDS(on) max @ VGS=10V — 10 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Power Dissipation (Pd) — 200 W (Tc)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (Tj)
Avalanche Energy Rating — Single-pulse avalanche rated
Nível MSL — 1 (unlimited)
Status RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Series — HEXFET

Fichas técnicas e recursos

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