IRFH6200TRPBF vs IRFH5015TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFH6200TRPBF von Infineon und IRFH5015TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFH6200TRPBF IRFH5015TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,53 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH6200TRPBF —
Technology StrongIRFET (trench N-channel) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.2 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute max rating] —
Total Gate Charge (Qg) 155 nC 33 nC
Power Dissipation at Ta (25C) 3.6 W —
Power Dissipation at Tc (25C) 156 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Gehäuse 8-PQFN 5x6 mm (Power QFN) 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (TRPBF suffix = Pb-free T&R) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] —
Channel Type N-Channel enhancement mode —
Avalanche Energy Rated Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
Betriebstemperatur — -55C to +150C (TJ max)
RoHS-Status — Compliant

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