IRFH6200TRPBF vs IRFH5015TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH6200TRPBF por Infineon e IRFH5015TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH6200TRPBF IRFH5015TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,53 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH6200TRPBF —
Technology StrongIRFET (trench N-channel) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.2 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute max rating] —
Total Gate Charge (Qg) 155 nC 33 nC
Power Dissipation at Ta (25C) 3.6 W —
Power Dissipation at Tc (25C) 156 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento 8-PQFN 5x6 mm (Power QFN) 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (TRPBF suffix = Pb-free T&R) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] —
Channel Type N-Channel enhancement mode —
Avalanche Energy Rated Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
Temperatura de operação — -55C to +150C (TJ max)
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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