IRFH6200TRPBF vs IRFH5015TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFH6200TRPBF par Infineon et IRFH5015TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFH6200TRPBF IRFH5015TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,53 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFH6200TRPBF —
Technology StrongIRFET (trench N-channel) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.2 mOhm —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute max rating] —
Total Gate Charge (Qg) 155 nC 33 nC
Power Dissipation at Ta (25C) 3.6 W —
Power Dissipation at Tc (25C) 156 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier 8-PQFN 5x6 mm (Power QFN) 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (TRPBF suffix = Pb-free T&R) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] —
Channel Type N-Channel enhancement mode —
Avalanche Energy Rated Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
Température de fonctionnement — -55C to +150C (TJ max)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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