IRFR024NTRPBF vs IRF8714TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR024NTRPBF von Infineon und IRF8714TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR024NTRPBF IRF8714TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,31 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Series HEXFET Power MOSFET (5th generation) —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 17 A (at TC = 25 C) —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max (at VGS = 10 V) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Typical Gate Charge (Qg) 13.3 nC —
Total Power Dissipation (PD) 45 W (at TC = 25 C) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount SO-8 (8-SOIC)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free / PbF terminations) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per Infineon package qualification)
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 14 A
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 8.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Gate Charge (Qg) typical — 8.1 nC
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Pin-Anzahl — 8
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant

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