IRFR024NTRPBF vs IRF8714TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR024NTRPBF メーカー: Infineon および IRF8714TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR024NTRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR024NTRPBF IRF8714TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.31 $0.66
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Series HEXFET Power MOSFET (5th generation) —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 17 A (at TC = 25 C) —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max (at VGS = 10 V) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Typical Gate Charge (Qg) 13.3 nC —
Total Power Dissipation (PD) 45 W (at TC = 25 C) —
動作接合温度 -55 C to +175 C —
パッケージ TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount SO-8 (8-SOIC)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free / PbF terminations) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per Infineon package qualification)
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 14 A
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 8.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Gate Charge (Qg) typical — 8.1 nC
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
動作温度範囲 — -55C to +150C (junction)
ピン数 — 8
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼