IRFR024NTRPBF vs IRF8714TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR024NTRPBF por Infineon e IRF8714TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR024NTRPBF IRF8714TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,31 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Series HEXFET Power MOSFET (5th generation) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 17 A (at TC = 25 C) —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max (at VGS = 10 V) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Typical Gate Charge (Qg) 13.3 nC —
Total Power Dissipation (PD) 45 W (at TC = 25 C) —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount SO-8 (8-SOIC)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free / PbF terminations) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per Infineon package qualification)
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 14 A
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 8.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range]
Gate Charge (Qg) typical — 8.1 nC
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Contagem de pinos — 8
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Lead-Free / RoHS Compliant

Fichas técnicas e recursos

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