IRFR024NTRPBF vs IRFR5505TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR024NTRPBF von Infineon und IRFR5505TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR024NTRPBF IRFR5505TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,31 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Series HEXFET Power MOSFET (5th generation) —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 17 A (at TC = 25 C) -18 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max (at VGS = 10 V) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Typical Gate Charge (Qg) 13.3 nC —
Total Power Dissipation (PD) 45 W (at TC = 25 C) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free / PbF terminations) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Polarity — P-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
VGS (Gate-Source Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) max — 110 mOhm (VGS = -10 V)
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Power Dissipation (PD) — 57 W (Tc = 25 °C)
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC]
Technology — IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)

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