IRFR024NTRPBF vs IRFR5505TRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR024NTRPBF メーカー: Infineon および IRFR5505TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR024NTRPBF ✓ 生産中
Infineon
IRFR5505TRLPBF IRFR5505TRLPBF - P-Ch 55V 18A 110mOhm DPAK MOSFET | Infineon

IRFR5505TRLPBF - P-Ch 55V 18A 110mOhm DPAK MOSFET | Infineon

IRFR5505TRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR024NTRPBF IRFR5505TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.31 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Series HEXFET Power MOSFET (5th generation) —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 17 A (at TC = 25 C) -18 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max (at VGS = 10 V) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Typical Gate Charge (Qg) 13.3 nC —
Total Power Dissipation (PD) 45 W (at TC = 25 C) —
動作接合温度 -55 C to +175 C —
パッケージ TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free / PbF terminations) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Polarity — P-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
VGS (Gate-Source Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) max — 110 mOhm (VGS = -10 V)
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Power Dissipation (PD) — 57 W (Tc = 25 °C)
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC]
Technology — IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)

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