IRFR024NTRPBF vs IRFR5505TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR024NTRPBF por Infineon e IRFR5505TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR024NTRPBF IRFR5505TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,31 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Series HEXFET Power MOSFET (5th generation) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 17 A (at TC = 25 C) -18 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max (at VGS = 10 V) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Typical Gate Charge (Qg) 13.3 nC —
Total Power Dissipation (PD) 45 W (at TC = 25 C) —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free / PbF terminations) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Polarity — P-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
VGS (Gate-Source Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) max — 110 mOhm (VGS = -10 V)
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Power Dissipation (PD) — 57 W (Tc = 25 °C)
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC]
Technology — IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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