IRFR1205TRPBF vs IRFR120NTRLPBF Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IRFR1205TRPBF von Infineon und IRFR120NTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IRFR1205TRPBF | IRFR120NTRLPBF |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,49 | $0,62 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 44 A | 9.4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V min, 4 V max | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 27 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 43.3 nC | 16.7 nC |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 107 W | — |
| Betriebs-Sperrschichttemperatur | -55C to +175C | — |
| Gehäuse | TO-252AA (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS-Status | Compliant (PBF suffix = lead-free) | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 210 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 48 W |
| Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich | — | -55C to +175C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (Pb-free) |