IRFR1205TRPBF vs IRFR120NTRLPBF Comparación
Comparación detallada lado a lado de IRFR1205TRPBF por Infineon y IRFR120NTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IRFR1205TRPBF | IRFR120NTRLPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,49 | $0,62 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 44 A | 9.4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V min, 4 V max | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 27 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 43.3 nC | 16.7 nC |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 107 W | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55C to +175C | — |
| Encapsulado | TO-252AA (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant (PBF suffix = lead-free) | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 210 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 48 W |
| Rango de temperatura de unión de funcionamiento | — | -55C to +175C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (Pb-free) |