IRFR1205TRPBF vs IRFR120NTRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR1205TRPBF par Infineon et IRFR120NTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR1205TRPBF | IRFR120NTRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,49 | $0,62 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 44 A | 9.4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V min, 4 V max | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 27 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 43.3 nC | 16.7 nC |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 107 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant (PBF suffix = lead-free) | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 210 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 48 W |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (Pb-free) |