IRFR2405TRLPBF vs IRFR3806TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR2405TRLPBF von Infineon und IRFR3806TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR2405TRLPBF IRFR3806TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,55 $0,52
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A 43 A
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/- 20 V
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (junction) -55 C to +175 C
Gehäuse TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant Yes (PBF suffix, lead-free)
Packaging Tape & Reel (TR) —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — 22 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
Gehäuse / Bauform — TO-252AA (DPAK)
Number of Units in IC — 1
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern