IRFR2405TRLPBF vs IRFR3806TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR2405TRLPBF par Infineon et IRFR3806TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR2405TRLPBF | IRFR3806TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,55 | $0,52 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 56 A | 43 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 200 A (typical, per datasheet family) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 16 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg) typical | 70 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 110 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | +/- 20 V |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction) | -55 C to +175 C |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized design) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant | Yes (PBF suffix, lead-free) |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 15.8 mOhm at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 22 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | — | 71 W |
| Boîtier / Format | — | TO-252AA (DPAK) |
| Number of Units in IC | — | 1 |
| Avalanche Rated | — | Yes (HEXFET family) |