IRFR2405TRLPBF vs IRFR3806TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR2405TRLPBF por Infineon e IRFR3806TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR2405TRLPBF IRFR3806TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,55 $0,52
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A 43 A
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/- 20 V
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (junction) -55 C to +175 C
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant Yes (PBF suffix, lead-free)
Packaging Tape & Reel (TR) —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — 22 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
Encapsulamento / Caixa — TO-252AA (DPAK)
Number of Units in IC — 1
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

Fichas técnicas e recursos

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