IRFR3504ZTRPBF vs IRFR3607TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR3504ZTRPBF von Infineon und IRFR3607TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR3504ZTRPBF IRFR3607TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,28 $0,39
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.8 V (logic-level) —
Total Gate Charge (Qg) typ 30 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 90 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +175°C —
Gehäuse TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (N-Channel Silicon MOSFET) IR HEXFET (planar DMOS)
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 (unlimited) —
Avalanche Rated Yes (improved repetitive avalanche rating) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 56 A
Calculated Die Drain Current — 80 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 140 W
Thermal Resistance (RthJC) — 1.0 C/W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention)
Avalanche SOA — Fully characterized
RoHS / Lead-Free — Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3)

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