IRFR3504ZTRPBF vs IRFR3607TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3504ZTRPBF par Infineon et IRFR3607TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR3504ZTRPBF | IRFR3607TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,28 | $0,39 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | 42 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 1.8 V (logic-level) | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 30 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 90 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (N-Channel Silicon MOSFET) | IR HEXFET (planar DMOS) |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | — |
| Avalanche Rated | Yes (improved repetitive avalanche rating) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 56 A |
| Calculated Die Drain Current | — | 80 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 56 nC |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 140 W |
| Thermal Resistance (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) |
| Avalanche SOA | — | Fully characterized |
| RoHS / Lead-Free | — | Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) |