IRFR3504ZTRPBF vs IRFR3607TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR3504ZTRPBF por Infineon e IRFR3607TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR3504ZTRPBF IRFR3607TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,28 $0,39
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 9 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 1.8 V (logic-level) —
Total Gate Charge (Qg) typ 30 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 90 W —
Temperatura de junção de operação -55°C to +175°C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (N-Channel Silicon MOSFET) IR HEXFET (planar DMOS)
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 (unlimited) —
Avalanche Rated Yes (improved repetitive avalanche rating) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 56 A
Calculated Die Drain Current — 80 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 140 W
Thermal Resistance (RthJC) — 1.0 C/W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention)
Avalanche SOA — Fully characterized
RoHS / Lead-Free — Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3)

Fichas técnicas e recursos

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