IRFR3806TRPBF vs IRFR4620TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR3806TRPBF von Infineon und IRFR4620TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR3806TRPBF IRFR4620TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,52 $1,72
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
Gehäuse / Bauform TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
Betriebstemperatur — -55C to +175C
Lead Free — Yes
RoHS-Status — Compliant
MSL-Level — 1 (Unlimited)

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