IRFR3806TRPBF vs IRFR4620TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR3806TRPBF por Infineon e IRFR4620TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR3806TRPBF IRFR4620TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,52 $1,72
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
Encapsulamento / Caixa TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
Temperatura de operação — -55C to +175C
Lead Free — Yes
Status RoHS — Compliant
Nível MSL — 1 (Unlimited)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação