IRFR3806TRPBF vs IRFR4620TRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR3806TRPBF メーカー: Infineon および IRFR4620TRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFR3806TRPBF IRFR4620TRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.52 $1.72
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
パッケージ / ケース TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET
動作温度範囲 -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
動作温度 — -55C to +175C
Lead Free — Yes
RoHS ステータス — Compliant
MSLレベル — 1 (Unlimited)

データシート&リソース

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