IRFR3806TRPBF vs IRFR4620TRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR3806TRPBF от Infineon и IRFR4620TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF - 60V 43A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR3806TRPBF - 60V 43A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR3806TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR3806TRPBF IRFR4620TRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,52 $1,72
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC —
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
Корпус / Типоразмер TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
Рабочая температура — -55C to +175C
Lead Free — Yes
Статус RoHS — Compliant
Уровень MSL — 1 (Unlimited)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену