IRFR5410TRPBF vs BSC060P03NS3EGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR5410TRPBF von Infineon und BSC060P03NS3EGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR5410TRPBF BSC060P03NS3EGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,71 $0,38
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Gehäuse TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (TJ) -55°C to +150°C
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) OptiMOS™ P-channel Trench
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
Continuous Drain Current (Ta) — 17.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — -2.5 V
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V — 81 nC
Input Capacitance Ciss — 6.02 nF
Output Capacitance Coss — 2.81 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 220 pF
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 83 W
RoHS-Status — Compliant

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