IRFR5410TRPBF vs BSC060P03NS3EGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5410TRPBF par Infineon et BSC060P03NS3EGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR5410TRPBF BSC060P03NS3EGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $0,38
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (TJ) -55°C to +150°C
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) OptiMOS™ P-channel Trench
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
Continuous Drain Current (Ta) — 17.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — -2.5 V
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V — 81 nC
Input Capacitance Ciss — 6.02 nF
Output Capacitance Coss — 2.81 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 220 pF
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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