IRFR5410TRPBF vs BSC060P03NS3EGATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR5410TRPBF от Infineon и BSC060P03NS3EGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 BSC060P03NS3EGATMA1 - 30V P-Ch MOSFET 6mΩ 100A OptiMOS | Infineon

BSC060P03NS3EGATMA1 - 30V P-Ch MOSFET 6mΩ 100A OptiMOS | Infineon

BSC060P03NS3EGATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR5410TRPBF BSC060P03NS3EGATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,71 $0,38
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Корпус TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +150 °C (TJ) -55°C to +150°C
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) OptiMOS™ P-channel Trench
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
Continuous Drain Current (Ta) — 17.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — -2.5 V
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V — 81 nC
Input Capacitance Ciss — 6.02 nF
Output Capacitance Coss — 2.81 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 220 pF
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену