IRFR5410TRPBF vs BSC060P03NS3EGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR5410TRPBF por Infineon e BSC060P03NS3EGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR5410TRPBF BSC060P03NS3EGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,71 $0,38
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (TJ) -55°C to +150°C
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) OptiMOS™ P-channel Trench
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
Continuous Drain Current (Ta) — 17.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — -2.5 V
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V — 81 nC
Input Capacitance Ciss — 6.02 nF
Output Capacitance Coss — 2.81 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 220 pF
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação