IRLML0030TRPBF vs IRLML2803TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLML0030TRPBF von Infineon und IRLML2803TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLML0030TRPBF IRLML2803TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,13 $0,13
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 5.3 A 1.2 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 27 mOhm at VGS=4.5V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V optimized) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 3.6 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W 540 mW
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C -55C to +150C (TJ)
Gehäuse Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET Power MOSFET IR MOSFET Generation V
MSL-Level 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1
Soldering Wave-solder capable —
Qualification JEDEC standard —
RoHS-Status Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2803TRPBF
Transistortyp — N-Channel MOSFET
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Gate Drive Level — Logic-level (driven from 3.3V / 5V)
RoHS Compliance — Compliant, Halogen-Free

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