IRLML0030TRPBF vs IRLML2803TRPBF Comparación
Comparación detallada lado a lado de IRLML0030TRPBF por Infineon y IRLML2803TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IRLML0030TRPBF | IRLML2803TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,13 | $0,13 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 5.3 A | 1.2 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 27 mOhm at VGS=4.5V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (5 V optimized) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | 3.6 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.3 W | 540 mW |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +150C | -55C to +150C (TJ) |
| Encapsulado | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET Power MOSFET | IR MOSFET Generation V |
| Nivel MSL | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Soldering | Wave-solder capable | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRLML2803TRPBF |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 250 mOhm maximum |
| Gate Charge (Qg) | — | 3.3 nC typical |
| Gate Drive Level | — | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) |
| RoHS Compliance | — | Compliant, Halogen-Free |