IRLML0030TRPBF vs IRLML2803TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLML0030TRPBF por Infineon e IRLML2803TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLML0030TRPBF IRLML2803TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,13 $0,13
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 5.3 A 1.2 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 27 mOhm at VGS=4.5V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V optimized) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 3.6 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W 540 mW
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55C to +150C (TJ)
Encapsulamento Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET Power MOSFET IR MOSFET Generation V
Nível MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1
Soldering Wave-solder capable —
Qualification JEDEC standard —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2803TRPBF
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Gate Drive Level — Logic-level (driven from 3.3V / 5V)
RoHS Compliance — Compliant, Halogen-Free

Fichas técnicas e recursos

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