IRLML0030TRPBF vs IRLML2803TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRLML0030TRPBF 제조: Infineon 및 IRLML2803TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IRLML0030TRPBF IRLML2803TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.13 $0.13
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 5.3 A 1.2 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 27 mOhm at VGS=4.5V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V optimized) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 3.6 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.3 W 540 mW
동작 온도 범위 -55C to +150C -55C to +150C (TJ)
패키지 Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET Power MOSFET IR MOSFET Generation V
MSL 레벨 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1
Soldering Wave-solder capable —
Qualification JEDEC standard —
RoHS 상태 Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2803TRPBF
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V — 250 mOhm maximum
Gate Charge (Qg) — 3.3 nC typical
Gate Drive Level — Logic-level (driven from 3.3V / 5V)
RoHS Compliance — Compliant, Halogen-Free

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