IRLML0030TRPBF vs IRLML2803TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLML0030TRPBF par Infineon et IRLML2803TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLML0030TRPBF | IRLML2803TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,13 | $0,13 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 5.3 A | 1.2 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 27 mOhm at VGS=4.5V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (5 V optimized) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | 3.6 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.3 W | 540 mW |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55C to +150C (TJ) |
| Boîtier | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET Power MOSFET | IR MOSFET Generation V |
| Niveau MSL | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Soldering | Wave-solder capable | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRLML2803TRPBF |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | — | 250 mOhm maximum |
| Gate Charge (Qg) | — | 3.3 nC typical |
| Gate Drive Level | — | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) |
| RoHS Compliance | — | Compliant, Halogen-Free |