IRLML6346TRPBF vs BSS308PEH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRLML6346TRPBF von Infineon und BSS308PEH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRLML6346TRPBF BSS308PEH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,18 $0,11
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) -2 A (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +150C —
Gehäuse Micro3 / SOT-23 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET —
MSL-Level 1 —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Transistortyp — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +150 °C
Gehäuse / Bauform — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Anzahl der Pins — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

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