IRLML6346TRPBF vs BSS308PEH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLML6346TRPBF por Infineon y BSS308PEH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLML6346TRPBF BSS308PEH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,18 $0,11
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) -2 A (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado Micro3 / SOT-23 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET —
Nivel MSL 1 —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Tipo de transistor — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +150 °C
Encapsulado / Carcasa — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Número de pines — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

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