IRLML6346TRPBF vs BSS308PEH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLML6346TRPBF por Infineon e BSS308PEH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLML6346TRPBF BSS308PEH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,18 $0,11
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) -2 A (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento Micro3 / SOT-23 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET —
Nível MSL 1 —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Tipo de transistor — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C
Encapsulamento / Caixa — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Número de pinos — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

Fichas técnicas e recursos

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